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等離子清洗機在晶圓清洗中的4個應(yīng)用-深圳金徠
來源:
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作者:深圳金徠
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發(fā)布時間: 1692天前
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晶圓制造工藝復(fù)雜，擁有很多工序，不同工序中使用了不同的化學(xué)材料，通常會在晶圓表面殘留化學(xué)劑、顆粒、金屬等雜質(zhì)，如果不及時清洗干凈，會隨著生產(chǎn)制造逐漸累積，影響最終的質(zhì)量。在晶圓制造工藝中，一般存在五個清洗步驟，分別是顆粒去除清洗、刻蝕后清洗、預(yù)擴散清洗、金屬離子去除清洗和薄膜去除清洗。因此，作為清洗工藝的基礎(chǔ)，清洗設(shè)備成為了制程發(fā)展的關(guān)鍵。
而且等離子體清洗作為一種先進的干式清洗技術(shù)，具有綠色環(huán)保等特點，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，等離子清洗機也在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用越來越多。
等離子清洗機也在半導(dǎo)體行業(yè)的4個應(yīng)用
1、顆粒
顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)等。這類污染物通常主要依靠范德瓦爾斯吸引力吸附在圓片表面,影響器件光刻工序的幾何圖形的形成及電學(xué)參數(shù)。這類污染物的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對顆粒進行底切,逐漸減小其與圓片表面的接觸面積,最終將其去除。
2、有機物
有機物雜質(zhì)的來源比較廣泛,如人的皮膚油脂、細菌、機械油、真空脂、光刻膠、清洗溶劑等。這類污染物通常在圓片表面形成有機物薄膜阻止清洗液到達圓片表面,導(dǎo)致圓片表面清洗不徹底,使得金屬雜質(zhì)等污染物在清洗之后仍完整的保留在圓片表面。這類污染物的去除常常在清洗工序的第一步進行。
3、金屬
半導(dǎo)體工藝中常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等,這些雜質(zhì)的來源主要有:各種器皿、管道、化學(xué)試劑,以及半導(dǎo)體圓片加工過程中,在形成金屬互連的同時,也產(chǎn)生了各種金屬污染。
4、氧化物
半導(dǎo)體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會形成自然氧化層。這層氧化薄膜不但會妨礙半導(dǎo)體制造的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會轉(zhuǎn)移到圓片中形成電學(xué)缺陷。
隨著集成電路先進制程工藝的進步，清洗設(shè)備的數(shù)量和使用頻率逐漸上升，清洗步驟的效率嚴(yán)重影響了晶圓生產(chǎn)良率，在整個生產(chǎn)過程中占比約33%，等離子清洗設(shè)備成為了晶圓處理設(shè)備中重要的一環(huán)。
上述所講解的就是等離子清洗機在晶圓清洗中的4個應(yīng)用，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭?，如果您想要了解更多關(guān)于等離子清洗機的相關(guān)信息，歡迎繼續(xù)瀏覽深圳金徠網(wǎng)站！
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1、顆粒
顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)等。這類污染物通常主要依靠范德瓦爾斯吸引力吸附在圓片表面,影響器件光刻工序的幾何圖形的形成及電學(xué)參數(shù)。這類污染物的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對顆粒進行底切,逐漸減小其與圓片表面的接觸面積,最終將其去除。
2、有機物
有機物雜質(zhì)的來源比較廣泛,如人的皮膚油脂、細菌、機械油、真空脂、光刻膠、清洗溶劑等。這類污染物通常在圓片表面形成有機物薄膜阻止清洗液到達圓片表面,導(dǎo)致圓片表面清洗不徹底,使得金屬雜質(zhì)等污染物在清洗之后仍完整的保留在圓片表面。這類污染物的去除常常在清洗工序的第一步進行。
3、金屬
半導(dǎo)體工藝中常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等,這些雜質(zhì)的來源主要有:各種器皿、管道、化學(xué)試劑,以及半導(dǎo)體圓片加工過程中,在形成金屬互連的同時,也產(chǎn)生了各種金屬污染。
4、氧化物
半導(dǎo)體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會形成自然氧化層。這層氧化薄膜不但會妨礙半導(dǎo)體制造的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會轉(zhuǎn)移到圓片中形成電學(xué)缺陷。
隨著集成電路先進制程工藝的進步，清洗設(shè)備的數(shù)量和使用頻率逐漸上升，清洗步驟的效率嚴(yán)重影響了晶圓生產(chǎn)良率，在整個生產(chǎn)過程中占比約33%，等離子清洗設(shè)備成為了晶圓處理設(shè)備中重要的一環(huán)。
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